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退火处理对CsBr:Eu²⁺光激励发光性能的影响

孟佳 , 赵丽丽 , 吴洁华 , 宋力昕

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00952

采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu²⁺粉体, 系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等, 发现退火处理能有效提高CsBr:Eu²⁺粉体光激励发光强度, 缩短其发光衰减时间. 重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系, 实验结果表明, 退火气氛中的氧取代溴离子Br^-成为替位氧离子O_s^-, 而氢原子将进入间隙位成为间隙氢原子H_i⁰. 替位氧离子O_s^-以及H_i⁰和H_2i⁰都是有效的电子俘获中心, 并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.

关键词: CsBr:Eu²⁺ , photostimulated luminescence , anneal , electron/hole trap center